Jores Ivanovitch Alferov
1930–2019, Vitebsk, Biélorussie (URSS), Saint-Pétersbourg, Russie
Physicien russe des semiconducteurs, pionnier des hétérostructures — fondement des lasers à semiconducteurs, des LED et de l'optoélectronique moderne.
Alferov fut diplômé de l'Institut électrotechnique Oulianov de Léningrad en 1952 et rejoignit l'Institut Ioffe, où il passa toute sa carrière et qu'il dirigea de 1987 à 2003. Membre de l'Académie des sciences soviétique puis russe, il fut aussi député de la Douma.
Dès le début des années 1960, son groupe étudia les hétérostructures — jonctions de semiconducteurs différents — et réalisa en 1968–1970 des lasers à double hétérostructure GaAs/AlGaAs fonctionnant en continu à température ambiante, ouvrant la voie aux lasers de CD, aux communications par fibre optique et aux téléphones mobiles. Il reçut le prix Nobel de physique 2000.
Travaux récompensés par le Nobel
Alferov et son équipe de l'Institut Ioffe développèrent l'idée d'utiliser les hétérostructures — interfaces entre semiconducteurs de gaps différents — pour confiner électrons, trous et lumière dans une même zone ultrafine. Sa « double hétérostructure » GaAs/AlGaAs permit aux lasers à semiconducteurs d'émettre en continu à température ambiante (1970), chose jusque-là jugée impossible.
Ce principe sous-tend l'essentiel de la photonique actuelle : lasers pour fibre optique et CD/DVD, LED à haute luminosité, cellules solaires à hétérostructure et transistors bipolaires à hétérojonction. Le Nobel 2000 récompensa des « travaux sur les hétérostructures semiconductrices pour l'électronique rapide et l'optoélectronique » (partagé avec Kroemer ; l'autre moitié revint à Kilby).
Lieux de travail: Institut Ioffe
Russie