Herbert Kroemer
1928–2024, Weimar, Allemagne, Santa Barbara, Californie, États-Unis
Physicien germano-américain qui proposa le laser à double hétérostructure et le transistor bipolaire à hétérojonction, fondations de la technologie semiconductrice moderne.
Kroemer obtint son doctorat de physique théorique à Göttingen en 1952 avec une thèse sur les « points chauds » des transistors, puis travailla dans des laboratoires industriels allemands avant de gagner les États-Unis en 1968 — RCA puis Varian — et devint professeur à UC Santa Barbara en 1976.
En 1963, il proposa — indépendamment d'Alferov — le laser à semiconducteur à double hétérostructure confinant porteurs et lumière ; la même année, il formula le principe d'« ingénierie de la bande interdite » et prédit de nouveaux effets de transport dans les hétérostructures, bases ultérieures des HBT et des lasers à puits quantiques. Il partagea le prix Nobel de physique 2000.
Travaux récompensés par le Nobel
Tandis qu'Alferov fabriquait les dispositifs, Kroemer fournit le cadre théorique : son article de 1963 montra qu'une couche de semiconducteur à gap étroit prise en sandwich entre des couches à gap plus large confinerait à la fois les porteurs (augmentant la densité de recombinaison) et la lumière (par le saut d'indice), rendant possible l'émission laser à température ambiante. D'abord ignorée des fabricants, l'idée devint vite la conception standard de tout laser à semiconducteur.
Il proposa aussi le transistor bipolaire à hétérojonction (1957–1963) et le concept d'« ingénierie de la bande interdite » — sculpter le paysage de potentiel des électrons en empilant des matériaux, principe fondateur de l'électronique rapide et des puits quantiques. Le Nobel 2000 récompensa ses « travaux sur les hétérostructures semiconductrices pour l'électronique rapide et l'optoélectronique ».
Lieux de travail: Université de Californie à Santa Barbara
Allemagne, États-Unis