Walter Brattain
1902–1987, Xiamen, Chine, Seattle, Washington
Physicien expérimental américain qui, avec John Bardeen, construisit le premier transistor aux Laboratoires Bell et reçut le prix Nobel de physique 1956.
Né à Xiamen (Chine) de parents américains, Brattain grandit dans un ranch de l'État de Washington, étudia au Whitman College et obtint son doctorat à l'Université du Minnesota. Il rejoignit les Laboratoires Bell en 1929 et passa près de quarante ans à étudier les propriétés de surface des semiconducteurs.
Travaillant avec John Bardeen sous la direction de William Shockley, il construisit en décembre 1947 le premier transistor à pointes de contact — premier dispositif à l'état solide capable d'amplifier un courant électrique. Après son départ de Bell en 1967, il retourna enseigner à Whitman jusqu'à sa retraite.
Travaux récompensés par le Nobel
Dans le groupe semiconducteurs de Shockley aux Laboratoires Bell, Brattain était l'expérimentateur associé au théoricien John Bardeen. Les deux hommes étudièrent les états de surface du germanium et, le 23 décembre 1947, démontrèrent le transistor à pointes de contact : deux électrodes en feuille d'or distantes de quelques centaines de micromètres sur un cristal de germanium.
Le dispositif amplifiait les signaux d'un facteur vingt environ — première preuve expérimentale de l'effet transistor. Publié dans Physical Review en 1948, ce résultat ouvrit l'ère de l'électronique à l'état solide, offrant une miniaturisation, un coût et une fiabilité hors de portée des tubes à vide.
Lieux de travail: Laboratoires Bell, Whitman College
États-Unis