Leo Esaki
actif vers 1925, Osaka, Japon
Physicien japonais qui découvrit l'effet tunnel des électrons dans les jonctions de semiconducteurs et inventa la diode tunnel Esaki.
Chez Tokyo Tsushin Kogyo, prédécesseur de Sony, Esaki étudia en 1957 des jonctions p–n de germanium fortement dopées et découvrit un courant inverse que seul l'effet tunnel quantique pouvait expliquer — d'où la diode tunnel, premier dispositif semiconducteur fondé purement sur un effet quantique. Chez IBM, il fut ensuite pionnier des superréseaux de semiconducteurs, structures périodiques artificielles rendant possible l'ingénierie des bandes.
Travaux récompensés par le Nobel
Esaki partagea le prix Nobel 1973 pour « ses découvertes expérimentales concernant les phénomènes tunnel dans les semiconducteurs ». Dans une jonction p–n de germanium dopée si fortement que les bords de bande se chevauchent, il constata que les électrons peuvent traverser la zone de déplétion par effet tunnel, produisant un courant qui croît puis décroît avec la tension — une région de résistance différentielle négative.
La diode Esaki qui en résulta, annoncée en 1957-58, commutait à une vitesse sans précédent et devint un pilier des premiers circuits hyperfréquences et informatiques, tout en démontrant directement que l'effet tunnel est un mécanisme de transport pratique et contrôlable dans les solides.
Lieux de travail: Sony Corporation (Tokyo Tsushin Kogyo), Centre de recherche IBM Thomas J. Watson
Japon