ウィリアム・ショックレー
1910–1989, イギリス、ロンドン, アメリカ、カリフォルニア州スタンフォード
物性物理学
ノーベル物理学賞 1956ベル研究所で半導体グループを率い、トランジスタを共同発明し、1956年にノーベル物理学賞を受賞したアメリカの物理学者。
ロンドンでアメリカ人の両親のもとに生まれたショックレーは、カリフォルニア工科大学で学び、MITで博士号を取得した後、1936年にベル研究所に入所した。第二次世界大戦後は半導体グループを率い、ジョン・バーディーンとウォルター・ブラッテンが最初の点接触トランジスタを作る一方、彼自身はp–n接合の理論を確立し接合型トランジスタを発明した。
1955年にベルを離れてマウンテンビューにショックレー半導体研究所を設立し、シリコンバレーの礎を築いた。主要な技術者たちは離脱してフェアチャイルド、後にインテルを設立した。晩年はスタンフォード大学で教えたが、優生学と人種に関する物議を醸す主張で悪名を残した。
ノーベル賞受賞業績
ベル研究所でショックレーはゲルマニウムの電界効果を研究する半導体グループを率いた。当初の電界効果トランジスタ構想が失敗すると、バーディーンとブラッテンが表面効果を追及し、1947年12月23日に信号を増幅する点接触素子でトランジスタ効果を実証した。
ショックレー自身はp–n接合の完全な理論を確立し接合型トランジスタを設計した。1948–1949年に著書『半導体の電子と正孔』で発表されたこの実用的形態が、トランジスタを現代エレクトロニクス全体の基盤にした。1956年のノーベル賞は「半導体の研究とトランジスタ効果の発見」に対して三人に授与された。
所属機関: ベル研究所, スタンフォード大学
アメリカ合衆国, イギリス