ジョレス・アルフョーロフ
1930–2019, ソ連、ヴィーツェプスク, ロシア、サンクトペテルブルク
物性物理学
ノーベル物理学賞 2000半導体ヘテロ構造を開拓し、半導体レーザー、LED、現代の光エレクトロニクスの基礎を築いたロシアの半導体物理学者。
アルフョーロフは1952年にレニングラードのウリヤノフ電気技術研究所を卒業しイオッフェ研究所に入所。終生同所で研究し、1987–2003年に所長を務めた。ソ連・ロシア科学アカデミー会員で、後に国家ドゥーマ議員も務めた。
1960年代初頭から異なる半導体を接合するヘテロ構造を研究し、1968–70年に室温連続動作するGaAs/AlGaAs二重ヘテロ構造レーザーを作製。CD用レーザー、光ファイバー通信、携帯電話への道を開いた。2000年ノーベル物理学賞を受賞した。
ノーベル賞受賞業績
アルフョーロフとイオッフェ研究所のチームは、バンドギャップの異なる半導体の界面——ヘテロ構造——を用いて電子・正孔・光を同じ超薄層に閉じ込める構想を発展させた。GaAs/AlGaAs「二重ヘテロ構造」設計により、それまで不可能とされた室温連続動作の半導体レーザー(1970年)が実現した。
この原理は今日のフォトニクスの大半を支える。光ファイバー・CD/DVD用レーザー、高輝度LED、ヘテロ構造太陽電池、ヘテロ接合バイポーラトランジスタなどである。2000年のノーベル賞は「高速電子工学・光エレクトロニクスに用いる半導体ヘテロ構造に関する業績」を称えた(Kroemerと分担、残り半分はKilby)。
所属機関: イオッフェ研究所
ロシア