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凝聚态物理学

能带理论与半导体

晶体中的电子态形成能带;带隙和费米能级影响导电性质。

晶体中的电子态形成能带;带隙和费米能级影响导电性质。

E±(k)=±ℏvF∣k−K∣,Eg=Ec−EvE_\pm(\mathbf{k})=\pm\hbar v_F|\mathbf{k}-\mathbf{K}|,\qquad E_g=E_c-E_v

定义: 能带与带隙

周期势产生允许能带与禁带。费米能级是平衡电子化学势,不一定对应已占据态。

观察线性狄拉克锥并调节能隙;费米能级视图示意狄拉克点附近的占据态。

物理模型

周期势产生允许能带与禁带。费米能级是平衡电子化学势,不一定对应已占据态。

E±(k)=±ℏvF∣k−K∣,Eg=Ec−EvE_±(k)=±ℏv_F|k−K|,\qquad E_g=E_c−E_v

半导体具有适中的带隙,掺杂会改变载流子浓度。理想石墨烯K点附近的两条能带形成线性色散狄拉克锥且无隙。

例题: 定量示例

若 E_g=1.1 eV,直接跃迁的阈值波长约 λ≈1240/1.1≈1127 nm。

解答

用hc≈1240 eV·nm换算,λ≈1240/1.1=1127 nm。

快速测验

布洛赫定理指出,周期势中的本征态为 ψₙₖ(r)=e^{ik·r}uₙₖ(r),其中 u 具有晶格周期性。第一布里渊区包含独立波矢;区边界的布拉格反射可打开能隙。能带 Eₙ(k) 在极值附近的曲率决定有效质量,因此载流子迁移性不必对应自由电子质量。费米能级位于能隙内通常意味着绝缘体,能带穿过费米能级则通常呈金属性。

有效质量近似适用于能带极值附近,此处 E(k) 可展开至二阶。能带顶处电子曲率对应负有效质量;将缺失电子描述成带正电、具有正质量的空穴通常更方便。掺杂会移动化学势并改变载流子密度。光学跃迁中,晶体动量守恒和选择定则决定吸收强度。

本征半导体中,热激发产生等浓度的导带电子和价带空穴。施主或受主掺杂会移动费米能级并使一种载流子占主导。带隙和有效质量会影响光吸收与迁移率。

理想石墨烯狄拉克点附近的色散是什么?

半导体掺杂通常直接改变什么?

参考文献

  1. Charles Kittel (2004). Introduction to Solid State Physics