若雷斯·阿尔费罗夫
1930–2019, 苏联维捷布斯克(今白俄罗斯), 俄罗斯圣彼得堡
凝聚态物理学
诺贝尔物理学奖 2000俄罗斯半导体物理学家，半导体异质结构的先驱——半导体激光器、LED和现代光电子技术的基础。
阿尔费罗夫1952年毕业于列宁格勒乌里扬诺夫电工学院，随后进入约飞研究所工作一生，1987–2003年任所长。他是苏联/俄罗斯科学院院士，后来担任国家杜马议员。
自20世纪60年代初，他的团队研究异质结构——不同半导体的结——并于1968–1970年制成可在室温下连续工作的GaAs/AlGaAs双异质结构激光器，为CD激光、光纤通信和移动电话铺平了道路。他获得2000年诺贝尔物理学奖。
获诺贝尔奖的研究工作
阿尔费罗夫及其约飞研究所团队发展了利用异质结构——不同带隙半导体的界面——将电子、空穴和光同时约束在同一超薄区域内的思想。其GaAs/AlGaAs“双异质结构”设计使半导体激光器得以在室温下连续发光(1970年),此前这被认为不可能实现。
该原理是当今绝大多数光子器件的基础：光纤与CD/DVD激光器、高亮度LED、异质结构太阳能电池和异质结双极晶体管。2000年诺贝尔奖表彰其“用于高速电子学和光电子学的半导体异质结构工作”(与克勒默分享，另一半授予基尔比)。
工作机构: 约飞物理技术研究所
俄罗斯