赫伯特·克勒默
1928–2024, 德国魏玛, 美国加利福尼亚州圣巴巴拉
凝聚态物理学
诺贝尔物理学奖 2000德裔美国物理学家，理论上提出双异质结构激光器和异质结双极晶体管，塑造了现代半导体技术。
克勒默1952年于哥廷根大学以晶体管“热点”研究获理论物理博士学位，先后在德国工业实验室工作，1968年赴美进入RCA和Varian，1976年起任加州大学圣巴巴拉分校教授。
1963年，他独立于阿尔费罗夫提出用双异质结构同时约束载流子和光的半导体激光器；同年阐明“带隙工程”原理并预言异质结构中的新输运效应——后来成为异质结双极晶体管和量子阱激光器的基础。他分享了2000年诺贝尔物理学奖。
获诺贝尔奖的研究工作
当阿尔费罗夫研制器件时，克勒默提供了理论框架：他1963年的论文指出，将窄带隙半导体层夹在宽带隙层之间，可同时约束载流子(提高复合密度)和光(借助折射率差)，从而实现室温激射。这一起初被厂商忽视的想法很快成为所有半导体激光器的标准设计。
他还提出异质结双极晶体管(1957–1963)和“带隙工程”概念——通过堆叠材料为电子设计势能景观，这是高速电子学和量子阱的奠基原理。2000年诺贝尔奖表彰其“用于高速电子学和光电子学的半导体异质结构工作”。
工作机构: 加州大学圣巴巴拉分校
德国, 美国