Zhores Ivanovich Alferov
1930–2019, Vitebsk, Belarus (Liên Xô), Sankt-Peterburg, Nga
Nhà vật lý bán dẫn người Nga, tiên phong dị cấu trúc bán dẫn — nền tảng của laser bán dẫn, LED và công nghệ quang tử hiện đại.
Alferov tốt nghiệp Viện Điện tử V. I. Ulyanov (Lenin) ở Leningrad năm 1952 và gia nhập Viện Ioffe, nơi ông làm việc suốt đời, từng là viện trưởng 1987–2003. Ông là thành viên Viện Hàn lâm Khoa học Liên Xô/Nga và sau này là nghị sĩ Duma Quốc gia.
Từ đầu thập niên 1960, nhóm của ông nghiên cứu dị cấu trúc — ghép các bán dẫn khác nhau — và năm 1968–1970 chế tạo laser dị cấu trúc đôi GaAs/AlGaAs hoạt động liên tục ở nhiệt độ phòng, mở đường cho laser CD, truyền thông sợi quang và điện thoại di động. Ông nhận Giải Nobel Vật lý 2000.
Công trình đoạt giải Nobel
Alferov và cộng sự tại Viện Ioffe phát triển ý tưởng dùng dị cấu trúc — ranh giới giữa hai bán dẫn có khe năng lượng khác nhau — để nhốt đồng thời electron, lỗ trống và ánh sáng trong cùng một miền cực mỏng. Thiết kế 'dị cấu trúc đôi' GaAs/AlGaAs của ông cho phép laser bán dẫn phát liên tục ở nhiệt độ phòng (1970), điều trước đó bị coi là bất khả thi.
Nguyên lý này là nền tảng vật lý của hầu hết linh kiện quang tử hiện nay: laser sợi quang và CD/DVD, LED hiệu suất cao, pin mặt trời dị cấu trúc, transistor dị cấu trúc lưỡng cực. Giải Nobel 2000 vinh danh 'công trình về dị cấu trúc bán dẫn dùng trong điện tử tốc độ cao và quang điện tử' (chia với Kroemer; nửa còn lại cho Kilby).
Nơi làm việc: Viện Vật lý-Kỹ thuật Ioffe
Nga