Herbert Kroemer
1928–2024, Weimar, Đức, Santa Barbara, California, Hoa Kỳ
Nhà vật lý người Đức-Mỹ, đề xuất lý thuyết laser dị cấu trúc đôi và transistor dị cấu trúc lưỡng cực, định hình công nghệ bán dẫn hiện đại.
Kroemer lấy bằng tiến sĩ vật lý lý thuyết tại Đại học Göttingen năm 1952 với luận án về các 'điểm nóng' trong transistor, rồi làm việc trong phòng thí nghiệm công nghiệp ở Đức trước khi sang Mỹ năm 1968, vào RCA và Varian, và từ năm 1976 là giáo sư tại UC Santa Barbara.
Năm 1963 ông đề xuất — độc lập với Alferov — laser bán dẫn dùng dị cấu trúc đôi để nhốt hạt tải và ánh sáng; cùng năm đó ông nêu nguyên lý 'hệ số tỷ lệ khe năng lượng' và dự đoán các hiệu ứng vận chuyển mới trong dị cấu trúc, sau này là nền của HBT và laser lượng tử giếng. Ông chia sẻ Giải Nobel Vật lý 2000.
Công trình đoạt giải Nobel
Trong khi Alferov xây dựng thực nghiệm, Kroemer cung cấp khung lý thuyết: bài báo 1963 của ông chỉ ra rằng một miền bán dẫn khe năng lượng hẹp kẹp giữa hai lớp khe rộng hơn sẽ đồng thời nhốt hạt tải (tăng mật độ tái hợp) và ánh sáng (do chênh chiết suất), cho phép phát laser ở nhiệt độ phòng. Ban đầu ý tưởng bị các nhà sản xuất bỏ qua, nhưng nhanh chóng trở thành chuẩn thiết kế của mọi laser bán dẫn.
Ông còn đề xuất transistor lưỡng cực dị cấu trúc (1957–1963) và khái niệm 'kỹ thuật khe năng lượng' — thiết kế thế năng cho electron bằng cách xếp chồng vật liệu, nguyên lý nền tảng của điện tử tốc độ cao và lượng tử giếng. Nobel 2000 cho 'công trình về dị cấu trúc bán dẫn trong điện tử tốc độ cao và quang điện tử'.
Nơi làm việc: Đại học California, Santa Barbara
Đức, Hoa Kỳ