William Shockley
1910–1989, London, Anh, Stanford, California
Nhà vật lý người Mỹ, trưởng nhóm bán dẫn tại Bell Labs, đồng phát minh transistor và nhận giải Nobel Vật lý năm 1956.
Sinh ra ở London trong một gia đình Mỹ, Shockley học ở Caltech và lấy bằng tiến sĩ tại MIT trước khi gia nhập Bell Labs năm 1936. Sau Thế chiến thứ hai ông đứng đầu nhóm bán dẫn, nơi John Bardeen và Walter Brattain chế tạo transistor tiếp xúc điểm đầu tiên, còn chính ông phát triển lý thuyết tiếp giáp p–n và phát minh transistor tiếp giáp.
Năm 1955 ông rời Bell để thành lập Shockley Semiconductor Laboratory ở Mountain View — hạt nhân đầu tiên của Silicon Valley. Các kỹ sư chủ chốt bỏ đi thành lập Fairchild và sau này là Intel. Những năm cuối đời ông dạy tại Stanford và trở nên khét tiếng vì các tuyên bố gây tranh cãi về di truyền và chủng tộc.
Công trình đoạt giải Nobel
Tại Bell Labs, Shockley lãnh đạo nhóm bán dẫn nghiên cứu hiệu ứng trường ở germanium; khi ý tưởng ban đầu của ông về transistor hiệu ứng trường không thành công, Bardeen và Brattain lần theo các hiệu ứng bề mặt và ngày 23 tháng 12 năm 1947 trình diễn hiệu ứng transistor bằng thiết bị tiếp xúc điểm khuếch đại tín hiệu.
Chính Shockley phát triển lý thuyết đầy đủ về tiếp giáp p–n và thiết kế transistor tiếp giáp — công bố năm 1948–1949 trong Electrons and Holes in Semiconductors — dạng thực dụng khiến transistor trở thành nền tảng của toàn bộ điện tử học hiện đại. Giải Nobel 1956 trao cho cả ba nhà nghiên cứu 'về các nghiên cứu trên bán dẫn và phát hiện hiệu ứng transistor'.
Nơi làm việc: Bell Labs, Đại học Stanford
Hoa Kỳ, Vương quốc Anh