Walter Brattain
1902–1987, Hạ Môn, Trung Quốc, Seattle, Washington
Nhà vật lý thực nghiệm người Mỹ, người cùng John Bardeen chế tạo transistor đầu tiên tại Bell Labs và nhận giải Nobel Vật lý năm 1956.
Sinh ra ở Hạ Môn (Trung Quốc) trong gia đình Mỹ, Brattain lớn lên trên một trang trại ở Washington, học tại Cao đẳng Whitman và lấy bằng tiến sĩ tại Đại học Minnesota. Ông gia nhập Bell Labs năm 1929 và dành gần bốn thập kỷ nghiên cứu tính chất bề mặt của bán dẫn.
Làm việc cùng John Bardeen dưới sự chỉ đạo của William Shockley, ông chế tạo transistor tiếp xúc điểm đầu tiên vào tháng 12 năm 1947 — thiết bị trạng thái rắn đầu tiên khuếch đại được dòng điện. Sau khi rời Bell năm 1967, ông quay về dạy học tại Whitman cho đến khi nghỉ hưu.
Công trình đoạt giải Nobel
Trong nhóm bán dẫn của Shockley tại Bell Labs, Brattain đóng vai trò thực nghiệm trong cặp đôi với nhà lý thuyết John Bardeen. Hai người nghiên cứu các trạng thái bề mặt của germanium và, ngày 23 tháng 12 năm 1947, trình diễn transistor tiếp xúc điểm: hai điện cực lá vàng cách nhau vài trăm micromet trên một tinh thể germanium.
Thiết bị khuếch đại tín hiệu khoảng 20 lần — chứng minh thực nghiệm đầu tiên của hiệu ứng transistor. Kết quả được công bố trên Physical Review năm 1948, mở ra thời đại điện tử trạng thái rắn và giảm kích thước, chi phí, độ tin cậy của các mạch điện tử mà đèn chân không không thể đạt được.
Nơi làm việc: Bell Labs, Cao đẳng Whitman
Hoa Kỳ