Leo Esaki
hoạt động khoảng năm 1925, Osaka, Nhật Bản
Nhà vật lý Nhật Bản, người phát hiện hiện tượng xuyên hầm của electron trong tiếp giáp bán dẫn và phát minh diode hầm Esaki.
Làm việc tại tiền thân của Sony là Tokyo Tsushin Kogyo năm 1957, Esaki nghiên cứu tiếp giáp p–n germanium pha tạp đậm và phát hiện dòng ngược mà chỉ xuyên hầm lượng tử giải thích được — dẫn tới diode hầm, linh kiện bán dẫn đầu tiên dựa thuần túy trên hiệu ứng lượng tử. Tại IBM ông sau này tiên phong siêu tinh thể bán dẫn, cấu trúc tuần hoàn nhân tạo cho phép kỹ thuật vùng năng lượng.
Công trình đoạt giải Nobel
Esaki chia sẻ giải Nobel 1973 về 'những khám phá thực nghiệm liên quan hiện tượng xuyên hầm trong bán dẫn'. Trong tiếp giáp p–n germanium pha tạp đậm tới mức các biên vùng chồng lấp, ông thấy electron có thể xuyên hầm qua vùng nghèo, tạo dòng điện tăng rồi giảm theo điện áp — vùng điện trở vi phân âm.
Diode Esaki ra đời, công bố 1957–58, chuyển mạch với tốc độ chưa từng có và trở thành linh kiện chủ lực của mạch vi sóng và máy tính thời kỳ đầu, đồng thời chứng minh trực tiếp rằng xuyên hầm là cơ chế truyền tải thực dụng, điều khiển được trong vật rắn.
Nơi làm việc: Công ty Sony (Tokyo Tsushin Kogyo), Trung tâm Nghiên cứu Thomas J. Watson của IBM
Nhật Bản