Amano Hiroshi
Tên theo chữ viết gốc: 天野浩
hoạt động khoảng năm 1960, Hamamatsu, Nhật Bản
Nhà vật lý Nhật Bản, đồng sáng lập công nghệ GaN cho đèn LED xanh hiệu suất cao.
Là sinh viên sau đại học của Akasaki, Amano phát triển lớp đệm AlN giúp GaN mọc phẳng đẹp trên sapphire (1985), rồi chứng minh electron năng lượng thấp 'khử hydro' và kích hoạt acceptor — giải được bài toán p-GaN treo gần hai thập kỷ. Ông tiếp tục nghiên cứu vật liệu bán dẫn công suất tại Nagoya.
Công trình đoạt giải Nobel
Hai chìa khóa của Amano cho LED xanh: lớp đệm AlN (1985) biến GaN từ tinh thể xù xì thành lớp mỏng chất lượng gương; và phát hiện chiếu electron loại hydro khỏi acceptor Mg, mở khoá vùng dẫn p. Không có p-GaN, không có junction pn — và không có diode phát sáng. Đây là mắt xích thiếu cuối cùng trước khi Nakamura công nghiệp hóa LED xanh.
Nơi làm việc: Đại học Nagoya
Nhật Bản