威廉·肖克利
1910–1989, 英国伦敦, 美国加利福尼亚州斯坦福
凝聚态物理学
诺贝尔物理学奖 1956美国物理学家,领导贝尔实验室的半导体研究组,共同发明了晶体管,获1956年诺贝尔物理学奖。
肖克利出生于伦敦,父母均为美国人,先后就读于加州理工学院和麻省理工学院并取得博士学位,1936年加入贝尔实验室。二战后他领导半导体研究组,期间约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿制成了第一个点接触晶体管,而他本人则建立了p–n结理论并发明了结型晶体管。
1955年他离开贝尔,在山景城创立肖克利半导体实验室,成为硅谷的起点。其核心工程师出走创立了仙童公司,后来又创立英特尔。晚年在斯坦福大学任教,并因关于优生学和种族的争议性言论而声名狼藉。
获诺贝尔奖的研究工作
在贝尔实验室,肖克利领导半导体研究组研究锗中的场效应;当他的场效应晶体管最初设想失败后,巴丁和布拉顿转而研究表面效应,并于1947年12月23日用点接触器件演示了晶体管效应,实现了信号放大。
肖克利本人建立了完整的p–n结理论并设计了结型晶体管——1948–1949年间在《半导体中的电子与空穴》一书中发表——正是这一实用形式使晶体管成为现代电子学的基石。1956年诺贝尔奖授予三人,表彰他们'对半导体的研究和对晶体管效应的发现'。
工作机构: 贝尔实验室, 斯坦福大学
美国, 英国