江崎玲于奈
约 1925 年活跃, 日本大阪
凝聚态物理学
诺贝尔物理学奖 1973日本物理学家,发现半导体结中的电子隧穿现象并发明江崎隧道二极管。
1957年在索尼前身东京通信工业工作时,江崎研究重掺杂锗p–n结,发现只有量子隧穿才能解释的反向电流——由此诞生了首个纯粹基于量子效应的半导体器件隧道二极管。在IBM他后来开创半导体超晶格——一种实现能带工程的人工周期结构。
获诺贝尔奖的研究工作
江崎因“半导体中隧穿现象的实验发现”分享了1973年诺贝尔奖。在掺杂重到能带边缘交叠的锗p–n结中,他发现电子可以隧穿耗尽区,产生随电压先升后降的电流——负微分电阻区。
由此诞生的江崎二极管于1957–58年公布,以空前的速度开关,成为早期微波和计算机电路的主力器件,同时直接证明隧穿是固体中实用、可控的输运机制。
工作机构: 索尼公司(东京通信工业), IBM托马斯·J·沃森研究中心
日本